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古瑞瓦特逆变器效率的影响因素
发布时间:2018-06-07  
 

      提高古瑞瓦特逆变器效率唯一的措施就是降低损耗,逆变器的主要损耗来自于IGBT、MOSFET等功率开关管,以及变压器、电感等磁性器件。损耗和元器件的电流,电压以及选用的材料采取的工艺有关系。

      IGBT的损耗主要有导通损耗和开关损耗,其中导通损耗和器件内阻、经过的电流有关,开关损耗和器件的开关频率,器件承受的直流电压有关。

      电感的损耗主要有铜损和铁损,铜损指电感线圈电阻所引起的损耗,当电流通过线圈电阻发热时,一部分电能就转变为热能而损耗,由于线圈一般都由带绝缘的铜线缠绕而成,因此称为铜损,铜损可以通过测量变压器短路阻抗来计算。铁损包括两个方面:一是磁滞损耗,另一是涡流损耗,铁损可以通过测量变压器空载电流来计算。

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